Светодиодные лампы для автомобильных фар LED D3R (12V24V) CANBUS 6000K

Параметры лампы: Технологии производства автомобильных светодиодных ламп не стоят. С каждым годом лампы становятся все ярче и компактнее. Модель  является безусловно самой последней разработкой от фирмы LED. Лампы имеют лучшее охлаждение, что способствует более длительной работе. Лампы светодиодные предназначены для фар любых конфигураций всех марок автомобилей. Лампы обеспечивают достаточно яркое свечение (до 10 раз ярче галогенной лампы), устойчивы к перепадам температур и имеют длительный срок службы 30000 часов. Одним из важных преимуществ светодиодных ламп — это низкое выделение тепла при свечении, а это означает, что оно не влияет на блок-фару, сохраняя ее характеристики на более длительный срок службы (не портится отражатель, не тускнеет стекло). С развитием технологий изготовления светодиодных элементов яркость свечения автомобильных ламп повысила яркость галогенных ламп, даже по температурным параметрам и временем розжига, а также срок службы остались далеко позади Ксеноновые лампы. Но самым главным преимуществом является компактный размер охлаждающего элемента – уменьшенный размер радиатора и ОТСУТТИЕ мотора вентилятора, что предотвращает попадание грязи внутрь конструкции. Уменьшенный размер позволяет установить без нарушения конструкции фары. Из вышеперечисленных преимуществ можно сделать вывод, что светодиодные автомобильные ламы – это лучший выбор для Вашего автомобиля. Размер патрона: D3R Мощность: 35 W Цветовая температура: 5700К Световой поток: 14000 Lm Гарантия: 6 месяцев. ( гарантия осуществляется на любые внутренние поломки только при целостности оболочки ламп) Описание и принцип работы светодиодной лампы. Повышению энергоэффективности во всем мире сейчас уделяется много внимания. Энергоэффективность является одним из ключевых аспектов любой экономичной деятельности. Требования к ее повышению устанавливаются даже законодательством многими странами для сохранения ресурсов. Светодиодное освещение гораздо эффективнее по сравнению с традиционными источниками света, его внедрение является приоритетным направлением развития. Появление нового рынка — рынка светодиодных устройств для осветительных целей, стало возможным благодаря существенному прогрессу в светодиодных и сопутствующих им технологиях. В 2007 году эффективность мощных светодиодов и светоизлучающих элементов светильников достигла сопоставимых значений с эффективностью других существующих энергоэффективных источников белого света, в последующие годы она превысила этот показатель (см. рис. 1). Успехи в создании источников питания для светодиодного освещения с эффективностью 90% и более, обеспеченные теплового режима, производства эффективных оптических систем послужили созданием новых высокотехнологичных источников света и формирования рынка светодиодного освещения. Рис. 1. Динамика роста эффективности источников белого света. Стоит отметить также успешное развитие технологий производства полупроводниковых компонентов и устройств, что приводит к сокращению энергопотребления и увеличению производительности как самих устройств, так и изделий, созданных на их основе. Технологии полупроводниковых соединений и устройств будут ключевой и развивающейся технологией для использования в беспроводных сетях, а также для целого ряда гражданских и вооруженных применений. Светодиод. Назначение и свойства основных элементов светодиодов. Светодиод – полупроводниковый источник некогерентного оптического излучения, принцип действия которого основан на излучении электролюминесценции при инжекции неосновных носителей заряда через гомо- или гетеро-p-n переход [1]. В настоящее время производятся светодиоды видимого, ультрафиолетового и инфракрасного диапазонов. Светодиод состоит из полупроводникового светоизлучающего чипа, корпуса, проволочных выводов, соединяющих электрический светодиодный чип и электрическое разведение корпуса, материала-фиксатора чипа покорпуса – клея или адгезива, или материала припоя в при использовании flip-чипов, оптического полимера или компаунда. Конструкция мощных светодиодов (мал. 2) дополнительно содержит диод, защищающий светодиод от электростатического разряда. Светодиодный чип. Основу любого светодиода составляет светодиодный чип. В литературе используют и слово «кристалл», однако оно не отражает всей технологической сложности изготовления внутренней структуры светодиодного чипа. Первым этапом создания светодиодного чипа является послойное выращивание определенной полупроводниковой гетероструктуры на выбранном материале подкладки. Состав и физические свойства гетероструктуры определяют длину волны излучения светодиодного чипа. Основными материалами, из которых изготавливаются светодиодные чипы, являются соединения GaN, AlN, InN, GaAs, GaP и их твердые растворы [2]. Физическое качество гетероструктуры, наличие или отсутствие внутренних дефектов и примесей в корне определяют эффективность светодиодного чипа и срок его службы. Например, компания «Оптоган» обладает оригинальными запатентованными эпитаксиальными технологиями, позволяющими выращивать структуры InGaAlN на сапфировых подкладках с особо низким количеством паровых дефектов (дислокаций). Благодаря низкой концентрации дислокаций чипы, производимые компанией «Оптоган», не подвержены ускоренной деградации при высоких токах и температурах, что увеличивает время жизни светодиодов. Однако качественно выращенная эпитаксиальная структура еще не означает получения качественного и эффективного светодиодного чипа. Исключительно важны следующие технологические шаги, позволяющие создать из полупроводниковой пластины готовы к постановке в корпус светодиодные чипы, формированию выводов, нанесению защитного оптического покрытия, то есть проведению так называемого процесса «упаковка». На этом производственном этапе, называемом «формированием чипов», пластины с выращенными на них гетероструктурами проходят несколько циклов фотолиографии, химического пищеварения, нанесения защитных и буферных слоев и электрических контактов. Стабильность и технологичная чистота каждого из указанных процессов определяют не только качество готового чипа, но и его цену. Именно поэтому производители постоянно совершенствуют каждый из отдельных процессов, доводя их до оптимального уровня. Сформированные чипы проходят визуальный контроль, определяются их оптические и электрические характеристики (мал.). Затем пластина с чипами разделяется на отдельные чипы с помощью механической или лазерной резки. После этого чипы снова тестируются, сортируются и поступают для конечного монтажа чипа в корпус светодиода. Рис 3. Тестирование оптических и электрических характеристик светодиодных чипов на пластине, что еще не разделено на отдельные чипы В процессе монтажа светодиодный чип соединяется с внешними контактами корпуса светодиода и покрывается оптическим полимером, чаще всего силиконом. Качество соединения чипа с внешними контактами корпуса определяет не только способность светодиода безотказно работать при заявленных электрических параметрах, но и определяет степень и качество отвода тепла из активной зоны светодиодной чипа, что влияет на долговечность светодиода. Оптический полимер не только защищает поверхность чипа от механического воздействия, но также способствует увеличению вывода излучения из чипа. Непосредственно в оптическом полимере может быть растворен люминофор, спектр поглощения которого приходится на спектр излучения чипа. В данном случае спектр излучения светодиода будет равен сумме спектра излучения чипа и спектру переизлучения люминофора. Основное назначение светодиодных чипов заключается в том, чтобы излучать свет. Однако в процессе работы устройства часть поступающей электрической энергии теряется, переходя в тепло. Чрезмерный нагрев светодиодного чипа приводит к изменению его характеристик, снижению срока службы и даже к выходу из строя. Задача исследователей и разработчиков состоит в том, чтобы снизить количество тепловых потерь. Этого можно достичь разными путями, в том числе, за счет уменьшения количества и толщины слоев используемых материалов в светодиодном чипе, улучшения эпитаксиального качества гетероструктуры чипа, создания структуры, что обеспечивает равномерное растеирование тока и многими другими способами.